北京硅碳负极包覆设备的基础参数

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北京硅碳负极包覆设备向您介绍北京硅碳负极包覆设备可以采用高精度的温控表进行控温。温度控制采用PID控制方式，具有结构简单、稳定可靠、调整方便、适用范围广等优点。可以根据工艺设置不同的温度曲线，不同的升温时间和保温时间。

硅碳负极包覆设备的具体参数如下：

硅碳负极包覆设备向您介绍使用温度:0~1300度（非金属炉管）。升温速率：根据工艺进行调整，可以快速升温。控温精度：±1℃。测温点：6点到12点。炉管转速：0.2—1rp/min（当然，这个可以根据实际情况进行调整）。保护气体：可以通入水蒸气，二氧化碳，氮气，氢气等气体。电压：380V，50HZ，通入保护气体后氧气含量和保护气体的纯度有关。硅碳负极包覆设备日产量根据工艺从200公斤到10吨不等。

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